halo implant作用
,一般而言,在初始製造階段,半導體層102以連續的半導體材料提供,隨後可分割成多個半導體區或作用...(haloimplantation)。在此策略中,N通道電晶體與P型通道電晶體各需要兩 ...,,其中一種選擇就是利用高介電係數閘極氧化層結構來提昇元件性能的目的...TheImpactof...
关于不同工艺节点mos VTH的短沟道和反短沟道效应解释
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halo结构就是在MOS沟道中靠近源漏S/DPNjunction的地方做两个与沟道同型的重掺杂,可以有效阻止耗尽层向沟道中扩散,从而阻断punchthrough的发生。接下来我们分析 ...
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